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　　当前，全球 EUV 光刻设备市场主要由荷兰 ASML 公司垄断，其设备通过复杂的 10 镜反射系统实现 EUV 光到晶圆的高精度转印，但过程中 EUV 能量损失严重，仅约 1% 最终抵达晶圆。相比之下，新技术通过减少反光镜数量至 4 个，显著提升了能量传输效率，使得超过 10% 的 EUV 能量能够直接作用于晶圆，整体耗电量因此降低至原设备的约十分之一。

　　此外，新技术还简化了设备结构，预期能够大幅降低设备的制造成本，估计原本约 200 亿日元的设备引入费用有望减半。为验证这一技术的可行性与效果，冲绳科学技术大学院大学计划首先使用发光二极管（LED）在缩小至实际设备二分之一大小的模型上进行初步测试，随后自 2025 年起转用 EUV 光源进行深入验证。

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　　新竹积教授表示期望与企业界携手合作，力争最早在 2026 年成功研发并推出首台采用该新技术的 EUV 光刻设备。