出于对技术和市场的考量，不少企业将目光瞄准了近年来大火的第三代半导体。近日，日本Central Glass（中央玻璃公司）和美国Guerrilla RF（GUER）公司分别就SiC和GaN领域展开新动作。
近日，Central Glass（中央玻璃公司）宣布公司“高质量8英寸SiC单晶/晶片制造技术开发”项目通过审查，被日本新能源和工业技术开发组织（NEDO）的视为绿色创新基金项目（项目期限为2022财年至2029财年）。
据了解，自2022年4月起，中央玻璃公司就已经开始使用液相法研究和开发SiC晶圆。
此次该项目转变为NEDO绿色创新基金资助项目预计将加速公司使用液相法开发高质量、成本竞争力的8英寸SiC单晶晶圆的研发，有助于公司大规模生产和实际应用世界级高质量的8英寸SiC晶圆。
自2024年4月26日起，GUER就开始着手收购Gallium Semiconductor之前发布的所有组件以及正在开发中的新核心器件。
此外，作为此次产品组合收购的一部分，所有相关的知识产权(IP)也已转移至GUER。通过整合这些资产，公司预期这将显著加强其开发和商业化针对无线基础设施、军事和卫星通信应用的新型GaN器件系列的能力。
此外，Gallium Semiconductor设计中使用的GaN-on-SiC预计将在未来十年主导市场。GUER的首席执行官兼创始人Ryan Pratt评论道：“随着公司持续作为RFIC和MMIC供应商发展，将GaN技术整合到我们不断扩大的产品组合中至关重要。在此次收购之前，GUER已经在有机增长战略中推进GaN器件开发。Gallium Semiconductor产品组合的收购显著加快了这一战略计划。”
Gallium Semiconductor的首席执行官Henk Thoonen表示：“将这些新产品融入Guerrilla RF的产品组合预计将快速且无阻碍。两家公司在GaN和GaAs产品上拥有共同的代工厂合作伙伴，并针对类似的应用和市场进行细分处理。GUER将继承一系列已发布和样品产品，包括晶体管到完全集成的不对称Doherty PAs。这些产品的最高额定功率范围从5W到400W，补充了Guerrilla RF现有的InGaP HBT和GaAs pHEMT放大器产品组合，后者适用于2W及以下的功率水平。”
据了解，Guerrilla RF专注于开发和制造高性能单片微波集成电路(MMICs)，服务于多个市场细分的无线OEM 。Guerrilla RF现有产品线包括超低噪声放大器、增益块、驱动放大器、混频器、射频开关、数字步进衰减器(DSAs)和线性功率放大器(PAs) 。